Портал ISRAland - израильские новости

12.04.2005 | 15:55

Милтон Фенг и Валид Хейфз из университета Иллинойса создали самый быстрый в мире транзистор, способный работать на тактовой частоте 604 гигагерца.

Размеры нового транзистора — существенно меньше полмикрона, что, в общем-то, сопоставимо с размерами деталей, применяемых в современных микросхемах.

Новинка относится к так называемому типу биполярных транзисторов. Для создания его трёх слоёв (базы, эмиттера и коллектора) авторы проекта использовали смесь двух различных полупроводников — фосфид индия и арсенид галлия-индия.

Тщательно подбирая состав и пропорции, исследователи добились того, что электроны в коллекторе могут двигаться быстрее и пробегать большее расстояние, прежде, чем они тормозятся в столкновениях с атомами.

Хотя в компьютерах, отмечают учёные, используется, в основном, другой тип транзисторов — полевой, разработать такой транзистор на базе найденных материалов — возможно, хотя и будет не легко.

Однако созданные транзисторы (а ранее те же авторы выходили в свет с экспериментальными образцами на 282-509 гигагерц) — далеки от того, чтобы из них уже можно было составлять микросхемы с тысячами деталей. Пока речь идёт только об экспериментах.

И всё же, данная работа — это шаг к появлению высокоскоростных компьютеров.

Читайте последние новости раздела "Технологии":
Израильский стартап Island открывает новый центр — после грандиозного успеха →
ЕС не даёт поблажек: закон об ИИ вступил в силу  →
Скоростные зарядки уже на пути в Израиль?  →
«Amazon»: работаем в нормальном режиме  →
Сервера легли…  →
«Google» инвестирует миллиарды в новый центр, но не в Израиле  →

Поделиться:

Membrana.ru