Портал ISRAland - израильские новости

11.04.2008 | 14:38

Разработчики калифорнийской лаборатории Almaden, принадлежащей корпорации IBM изобрели революционную технологию, позволяющую увеличить память в электронных запоминающих устройствах в сотни раз.

Технология, названная «беговой памятью», располагает данные в границах магнитных доменов между магнитными областями в нанопроводниках. Такое название технология получила из-за того, что данные в ходе записи или чтения «прыгают» вокруг проводника.

По словам изобретателей, устройство, которое в будущем, вероятно, заменит флэшки и жесткие диски, поступит в продаже через 7-8 лет.

Читайте последние новости раздела "Технологии":
«iPhone 17»: пользователи тотально разочарованы  →
ChatGPT вышел из чата  →
Запуск израильского спутника был успешным  →
Чего ждать от нового «iPhone»?  →
«Электросамолёт в Японии - шаг в будущее авиации» →
«Starlink» в Израиле: первые подробности  →

Поделиться:

Портал ISRAland - новости Израиля